उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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भाग संख्या: | LLDB3 LLDB4 LLDB6 | VBO: | 56-70V |
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आईआर: | 10uA | पैकेज: | एस ओ-80 |
ऑपरेशन तापमान रेंज: | -40 ° c - + 125 ° c | स्टोरेज टेंपरेचर रेंज: | -40 ° c - + 125 ° c |
हाई लाइट: | db3 diac diode,db3 diac trigger diode |
ग्लास-सील्ड द्वि-दिशात्मक ट्रिगर डायोड LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80
विशेषताएं
अनुप्रयोग
एक निश्चित वोल्टेज संदर्भ के साथ ट्रिगर डायोड के रूप में कार्य करना, DB3 संयोजन में इस्तेमाल किया जा सकता है
सरलीकृत गेट नियंत्रण सर्किट के लिए triacs के साथ या फ्लोरोसेंट लैंप रोड़े में एक प्रारंभिक तत्व के रूप में।
निरपेक्ष अधिकतम रेटिंग
दोहराए जाने वाले शिखर राज्य की वर्तमान स्थिति (tp = 20μs F = 120 Hz) | ITRM | 2 | ए |
संचालन जंक्शन तापमान रेंज | TJ | -40 ~ 125 | ℃ |
स्टोरेज टेंपरेचर रेंज | Tstg | -40 ~ 125 | ℃ |
विद्युत विशेषतायें
पैरामीटर | प्रतीक | परीक्षण की स्थितियाँ | मूल्य | इकाई | |
ब्रेकओवर वोल्टेज * | VBO | सी = 22nF ** | मिन। | 28 | वी |
TYP। | 32 | ||||
मैक्स। | 36 | ||||
ब्रेकओवर वोल्टेज समरूपता | | VBO1-VBO2 | | सी = 22nF ** | मैक्स। | ± 3 | वी |
गतिशील ब्रेकओवर वोल्टेज * | △ वी | 10mA पर VBO और VF | मिन। | 5 | वी |
आउटपुट वोल्टेज* | VO | चित्र 2 देखें (R = 20Ω) | मिन। | 5 | वी |
ब्रेकओवर करंट * | आईबीओ | सी = 22nF ** | मैक्स। | 50 | μA |
उठने का समय* | टीआर | चित्र 3 देखें | मैक्स। | 2 | μs |
लीकेज करंट* | आईआर | वीआर = 0.5 वीबीओ अधिकतम | मैक्स। | 10 | μA |
हमारे फायदे:
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व्यक्ति से संपर्क करें: Patty Huang
दूरभाष: +8618761557550