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उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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| भाग संख्या: | 30BQ100 | अगर: | 3 ए |
|---|---|---|---|
| वोल्टेज: | 100V | पैकेज: | एसएमसी / डीओ-214AB |
| जंक्शन तापमान: | 175 डिग्री सेल्सियस | IF पर VF: | 0.62 वी |
| आईआरएम: | 125 डिग्री सेल्सियस पर 5 एमए | ईएएस: | 3.0 एमजे |
| हाई लाइट: | schottky barrier rectifier,1n5820 schottky diode |
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3Amp 100V भूतल माउंट Schottky रेक्टिफायर डायोड 30BQ100 SMC केस के साथ
विशेषताएं
• बहुत कम आगे वोल्टेज ड्रॉप
• बढ़ी हुई कठोरता और दीर्घकालिक विश्वसनीयता के लिए गार्ड रिंग
• आईईसी 61249-2-21 परिभाषा के अनुसार हलोजन मुक्त
• छोटे पैर प्रिंट, सतह माउंट करने योग्य
• उच्च आवृत्ति ऑपरेशन
• MSL स्तर 1, J-STD-020, LF अधिकतम शिखर 260 ° C पर ले जाता है
• RoHS निर्देश 2015/863 / EC के अनुरूप
विवरण
30BQ100 सतह माउंट शोट्स्की रेक्टिफायर को कम करने वाले अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है
forward drop and small foot prints on PC boards. आगे ड्रॉप और पीसी बोर्डों पर छोटे पैर प्रिंट। Typical applications are in disk drives, switching विशिष्ट अनुप्रयोग डिस्क ड्राइव में हैं, स्विचिंग
बिजली की आपूर्ति, कन्वर्टर्स, freewheeling डायोड, बैटरी चार्ज, और रिवर्स बैटरी सुरक्षा।
| मुख्य आरोग्य और वर्णव्यवस्था | |||
| प्रतीक | विशेषताएँ | मान | इकाइयां |
| यदि (एवी) | आयताकार तरंग | 3.0 | ए |
| VRRM | 100 | वी | |
| IFSM | tp = 5 μs साइन | 800 | ए |
| VF | 3.0 एपीके, टीजे = 125 डिग्री सेल्सियस | 0.62 | वी |
| टीजे | रेंज | - 55 से 175 | डिग्री सेल्सियस |
| वॉल्टेज अनुपात | |||
| पैरामीटर | प्रतीक | 30BQ100-एम 3 | इकाइयां |
| अधिकतम डीसी रिवर्स वोल्टेज | वी.आर. | 100 | वी |
| अधिकतम काम करने वाला शिखर रिवर्स वोल्टेज | VRWM | ||
| निरपेक्ष अधिकतम रेटिंग | |||||
| पैरामीटर | प्रतीक | परीक्षण स्थिति | मान | इकाइयां | |
| अधिकतम औसत वर्तमान | यदि (एवी) | टीएल = 148 डिग्री सेल्सियस, आयताकार तरंग पर 50% कर्तव्य चक्र | 3.0 | ए | |
| टीएल = 138 डिग्री सेल्सियस पर 50% कर्तव्य चक्र, आयताकार तरंग | 4.0 | ||||
अधिकतम एक चक्र | IFSM | 5 μs sine or 3 μs rect. 5 μs साइन या 3 μs रेक्ट। pulse पल्स | किसी भी रेटिंग का अनुसरण किया जा रहा है | 800 | |
| 10 ms sine or 6 ms rect. 10 एमएस साइन या 6 एमएस रेक्ट। pulse पल्स | 70 | ||||
| गैर-दोहरावदार हिमस्खलन ऊर्जा | ईएएस | TJ = 25 ° C, IAS = 1.0 A, L = 6 mH | 3.0 | एमजे | |
| दोहरावदार हिमस्खलन करंट | IAR | 1 μs में रैखिक रूप से वर्तमान क्षय | 0.5 | ए | |
| विद्युत निर्दिष्टीकरण | |||||
| पैरामीटर | प्रतीक | परीक्षण स्थिति | मान | इकाइयां | |
| अधिकतम आगे वोल्टेज ड्रॉप | VFM (1) | 3 ए | टीजे = 25 डिग्री सेल्सियस | 0.79 | वी |
| 6A | 0.90 | ||||
| 3 ए | टीजे = 125 डिग्री सेल्सियस | 0.62 | |||
| 6A | 0.70 | ||||
| अधिकतम रिवर्स लीकेज करंट | आईआरएम | टीजे = 25 डिग्री सेल्सियस | वीआर = रेटेड वीआर | 0.5 | |
| टीजे = 125 डिग्री सेल्सियस | 5.0 | एमए | |||
| अधिकतम जंक्शन समाई | सीटी | वीआर = 5 वीडीसी (टेस्ट सिग्नल रेंज 100 kHz से 1 MHz), 25 ° C | 115 | pF | |
| विशिष्ट श्रृंखला प्रेरण | रास | पैकेज बॉडी से 5 मिमी का नेतृत्व करने के लिए मापा जाता है | 3.0 | राष्ट्रीय राजमार्ग | |
| परिवर्तन की अधिकतम वोल्टेज दर | dV / dt | रेटेड वी.आर. | 10 000 | वी / μs | |
ध्यान दें
(1) पल्स चौड़ाई = 300 μs, कर्तव्य चक्र = 2%
| थर्मल - यांत्रिक विनिर्देश | ||||
| पैरामीटर | प्रतीक | परीक्षण स्थिति | मान | इकाइयां |
अधिकतम जंक्शन और भंडारण | टीजे (1), टीएसजीजी | - 55 से 175 | डिग्री सेल्सियस | |
| अधिकतम थर्मल प्रतिरोध, नेतृत्व करने के लिए जंक्शन | RthJL (2) | डीसी ऑपरेशन | 12 | डिग्री सेल्सियस / डब्ल्यू |
अधिकतम तापीय प्रतिरोध, | RthJA | 46 | ||
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