उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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| भाग संख्या: | KBPC3510 | वर्तमान: | वोल्ट: | 1000V | लीड मुक्त स्थिति: | लीड मुक्त / RoHS | |
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| द्वारा शिपिंग है: | DHLUPSFedexEMSsea | SPQ: | 50pcs | ||||
| हाई लाइट: | silicon rectifier diode,silicon zener diode |
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सिंगल फेज सिलिकॉन डायोड ब्रिज रेक्टिफायर 35A 1000V KBPC35005-KBPC3510 वोल्ट 50-1000V
विशेषताएं
* 300 एम्पीयर को अधिभार रेटिंग
* यह श्रृंखला मान्यता प्राप्त के तहत उल सूचीबद्ध है
घटक सूचकांक, फ़ाइल संख्या E142814
* प्लास्टिक सामग्री का उपयोग अंडरराइटर प्रयोगशाला द्वारा किया जाता है
ज्वलनशीलता मान्यता 94V-0
* यूनिवर्सल 4-रास्ता टर्मिनलों, स्नैप-ऑन, रैप-अराउंड,
सोल्डर या पीसी बोर्ड बढ़ते
* उच्च तापमान टांका लगाने की गारंटी 265 C / 10 है
5 पाउंड (2.3 किग्रा) तनाव पर सेकंड
मैकेनिकल डाटा
* केस: मेटल केस
* टर्मिनल: मढ़वाया .25 "(6.53 मिमी) फास्टन
* बढ़ते स्थिति: सिलिकॉन थर्मल के साथ गर्मी-सिंक पर बोल्ट नीचे
पुलों और बढ़ते सतह के बीच का यौगिक
अधिकतम गर्मी हस्तांतरण दक्षता
* बढ़ते स्थिति: कोई भी
* वजन: 0.706 औंस, 20 ग्राम (लगभग)
मैक्सिमम रेटिंग्स और विद्युत वर्णक
रेटिंग 25 C परिवेश का तापमान निर्दिष्ट अन्य unwess।
सिंगल फेज़, हॉफ वेव, साठ हर्ट्ज, रेजिसटिव या इंडक्टिव लोड।
कैपेसिटिव लोड के लिए, 20% से करंट को ड्राय करें।
| प्रकार | KBPC 35005 | KBPC 3501 | KBPC 3502 | KBPC 3504 | KBPC 3506 | KBPC 3508 | KBPC 3510 | इकाइयां |
| अधिकतम आवर्तक पीक रिवर्स वोल्टेज | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | वी |
| अधिकतम आरएमएस वोल्टेज | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | वी |
| अधिकतम डीसी ब्लॉकिंग वोल्टेज | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | वी |
अधिकतम औसत आगे सुधारा गया TA = 55 C पर आउटपुट करंट | 35.0 | ए | ||||||
पीक फॉरवर्ड सर्ज करंट, 8.3 एमएस सिंगल हाफ साइन-वेव रेटेड लोड पर आधारित (JEDEC विधि) | 400 | ए | ||||||
| फ्यूज़िंग के लिए रेटिंग (टी <8.3ms | 664 | ए | ||||||
| प्रति तत्व विशिष्ट थर्मल प्रतिरोध (1) | 2.1 | A2 सेकंड | ||||||
| मामले से लीड करने के लिए अलगाव वोल्टेज | 2500 | uA | ||||||
| तापमान सीमा संचालित करना | -55 +150 | सी | ||||||
अधिकतम तात्कालिक फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप प्रति पैर 17.5A पर | 1.0 | वी | ||||||
रेटेड TA = 25 C पर अधिकतम DC रिवर्स करंट तत्व प्रति डीसी ब्लॉक वोल्टेज TA = 125 C | 10 500 | uA | ||||||
आकार:
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