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उच्च गति के साथ ग्लास केस हाई स्पीड स्विचिंग डायोड 1N914

उच्च गति के साथ ग्लास केस हाई स्पीड स्विचिंग डायोड 1N914

Glass Case High Speed Switching Diode 1N914 With High Conductance
Glass Case High Speed Switching Diode 1N914 With High Conductance Glass Case High Speed Switching Diode 1N914 With High Conductance Glass Case High Speed Switching Diode 1N914 With High Conductance

बड़ी छवि :  उच्च गति के साथ ग्लास केस हाई स्पीड स्विचिंग डायोड 1N914

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: XUYANG
प्रमाणन: ISO9001/RoHS
मॉडल संख्या: 1N914

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 5000PCS
मूल्य: negotiation
पैकेजिंग विवरण: बॉक्स में टेप, 5000 pcs / बॉक्स
प्रसव के समय: 5-8 दिनों के काम
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000 पीसी प्रति 1 सप्ताह
विस्तृत उत्पाद विवरण
नाम: फास्ट स्विचिंग डायोड भाग संख्या: 1N914
वी. आर.: 75V पीक रिवर्स वोल्टेज:: 100V
फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप: 1V भंडारण तापमान: -65 से + 175 डिग्री सेल्सियस
हाई लाइट:

small signal fast switching diodes

,

ultra fast switching diode

हाई स्पीड स्विचिंग डायोड 1N914 डीओ -35 केस फास्ट स्विचिंग डायोड के साथ

विशेषताएं

तेजी से स्विचन की गति
उच्च विश्वसनीयता
उच्च चालकता
सामान्य प्रयोजन के लिए स्विचन अनुप्रयोग

मैकेनिकल डाटा

केस: DO-35 ग्लास केस

थर्मिनल्स: प्रति मिलिंद -एसटीडी-202, विधि 208 गुरुंटेड

अंकन: संख्या लिखें

वजन: लगभग। 0.13g

अधिकतम रेटिंग और थर्मल विशेषता (TA = 25 ° C जब तक अन्यथा नोट नहीं)

अधिकतम रेटिंग (TA = 25 ° C जब तक अन्यथा नोट नहीं)

characterisic प्रतीक सीमा इकाई
गैर-दोहरावदार पीक रिवर्स वोल्टेज VRM 100 वी

पीक दोहराव रिवर्स वोल्टेज

कार्य पीक रिवर्स वोल्टेज

डीसी ब्लॉकिंग वोल्टेज

VRRM

VRWM

वी.आर.

75 वी
आरएमएस रिवर्स वोल्टेज वी.आर. (RMS) 53 वी

Forwar Continuous करंट

(नोट 1)

IFM 150 एमए

औसत रेक्टीफाइड आउटपुट करंट

(नोट 1)

आईओ 75 एमए

नॉन-रिपिटिटिव पीक फॉरवर्ड सर्ज करंट @ t = 1s

@ t = 1us

IFSM

1.0

1.0

बिजली अपव्यय (नोट 1)

25 डिग्री सेल्सियस से ऊपर ड्राफ्ट

पी.डी. 500

मेगावाट

मेगावाट / डिग्री सेल्सियस

थर्मल प्रतिरोध जंक्शन से परिवेशी वायु (नोट 1) RthJA 300 कश्मीर / डब्ल्यू
जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज टीजे, टीएसटीजी -65 से +175 डिग्री सेल्सियस

विद्युत अभिलक्षण (TJ = 25 ° C जब तक अन्यथा उल्लेख नहीं किया गया)

पैरामीटर प्रतीक परीक्षण स्थिति मिन मैक्स इकाई
अधिकतम फ़ॉरवर्ड वोल्टेज VFM इफ = 10mA - 1.0 वी
अधिकतम पीक रिवर्स करंट आईआरएम

वीआर = 75 वी

वीआर = 20 वी, टीजे = 150 डिग्री सेल्सियस

वीआर = 20 वी

-

5.0

50

25

μA

μA

ना

समाई CJ वीआर = 0 वी, एफ = 1.0 मेगाहर्ट्ज - 4 pF
ठीक होने का समय trr

IF = 10mA, IR = 1mA,

वीआर = 6 वी, आरएल = 100Ω

- 4 एनएस

नोट: 1. मान्य है कि सीसा परिवेश तापमान पर 8.0 मिमी की दूरी पर रखा जाता है।

part1 diode.png

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