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एसएमडी 3 ए 1000 वी उच्च दक्षता डायोड एचएस 3 एम एकीकृत परिपथों के लिए उपयोग किया जाता है

एसएमडी 3 ए 1000 वी उच्च दक्षता डायोड एचएस 3 एम एकीकृत परिपथों के लिए उपयोग किया जाता है

SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits
SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits

बड़ी छवि :  एसएमडी 3 ए 1000 वी उच्च दक्षता डायोड एचएस 3 एम एकीकृत परिपथों के लिए उपयोग किया जाता है

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: XUYANG
प्रमाणन: ISO9001/RoHS
मॉडल संख्या: HS3M

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 3000pcs
मूल्य: negotiation
पैकेजिंग विवरण: रील में टेप, 3000 पीसी / रील
प्रसव के समय: 5-8 दिनों के काम
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, पेपैल
आपूर्ति की क्षमता: 500000pcs / महीने
विस्तृत उत्पाद विवरण
भाग संख्या: HS3M वर्तमान: 3A
वोल्ट: 1000V पैकेज: एसएमसी / डीओ-214AB
SPQ: 3000pcs आपरेटिंग तापमान: -55 डिग्री सेल्सियस से + 150 डिग्री सेल्सियस
हाई लाइट:

high efficiency diode

,

alternator rectifier diode

एसएमडी उच्च दक्षता वाले रेक्टिफायर डायोड HS3M का उपयोग एकीकृत परिपथों में किया जाता है

विशेषताएं

ग्लास निष्क्रिय जंक्शन चिप।
सतह घुड़सवार आवेदन के लिए
कम आगे वोल्टेज ड्रॉप
लो प्रोफाइल पैकेज
अंतर्निहित दाग राहत, स्वत: प्लेसमेंट के लिए आदर्श
उच्च दक्षता के लिए फास्ट स्विचिंग
उच्च तापमान सोल्डरिंग: टर्मिनलों पर 260 ℃ / 10 सेकंड
प्लास्टिक सामग्री का इस्तेमाल अंडरराइटर प्रयोगशाला वर्गीकरण 94V-O किया जाता है

यांत्रिकी डेटा

मामले: ढाला प्लास्टिक
टर्मिनलों: मिलाप चढ़ाया
ध्रुवीयता: कैथोड बैंड द्वारा संकेतित
पैकिंग: E1A STD RS-481 प्रति 12 मिमी टेप
वजन: 0.21 ग्राम

मैक्सिमम रेटिंग्स और विद्युत वर्णक

रेटिंग 25 C परिवेश का तापमान निर्दिष्ट अन्य unwess।
सिंगल फेज़, हॉफ वेव, साठ हर्ट्ज, रेजिसटिव या इंडक्टिव लोड।
कैपेसिटिव लोड के लिए, 20% से करंट को ड्राय करें।

प्रकार HS3A HS3B HS3D HS3F HS3G HS3J HS3K HS3M इकाई
अधिकतम आवर्तक पीक रिवर्स वोल्टेज 50 100 200 300 400 600 800 1000 वी
अधिकतम आरएमएस वोल्टेज 35 70 140 210 280 420 580 700 वी
अधिकतम डीसी ब्लॉकिंग वोल्टेज 50 100 200 300 400 600 800 1000 वी

अधिकतम औसत फ़ॉरवर्ड रेक्टिफाइड करंट

.375 ”(9.5 मिमी) टा = 55 ℃ पर लीड लंबाई

3.0
पीक फॉरवर्ड सर्ज करंट, 8.3 एमएस सिंगल हाफ साइन-वेव रेटेड लोड (JEDEC विधि) पर आरोपित 150
3.0A पर अधिकतम तात्कालिक फॉरवर्ड वोल्टेज 1.0 1.3 1.7 वी

अधिकतम डीसी रिवर्स करंट टा = 25 ℃

रेटेड डीसी अवरोधक वोल्टेज टा = 100 ℃ पर

10.0

200

μA

μA

अधिकतम उलट वसूली समय (नोट 1) 50 75 एन एस
विशिष्ट जंक्शन क्षमता (नोट 2) 80 50 pF
ऑपरेटिंग तापमान रेंज टी जे -55 +150
भंडारण तापमान रेंज टी एसटीजी -55 +150


टिप्पणियाँ:
1. रिवर्स रिकवरी टाइम परीक्षण की स्थिति: IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A
2. 1MHz पर मापा और 4.0V डीसी के रिवर्स वोल्टेज लागू किया

3. 0.6 ”x0.6” (16 x 16 मिमी) कॉपर पैड क्षेत्रों के साथ पीसीबी पर घुड़सवार।

चित्रकारी:

5more पसंद। png

सबसे अच्छी गुणवत्ता आश्वासन:

1. मूल और नया ही
2. सबसे अधिक प्रतिस्पर्धी मूल्य और सबसे अच्छी सेवा
3. नमूना आपूर्ति और तेजी से वितरण

4. गुणवत्ता वारंटी 90 दिन (किसी भी इस्तेमाल की गई वस्तुओं को वापस नहीं किया जा सकता या प्रतिस्थापित नहीं किया जा सकता)।

5. हम स्टॉक है, परीक्षण के लिए नमूना लेने के लिए आपका स्वागत है।

भुगतान की विधि :

· टी / टी

· वेस्टर्न यूनियन

· पेपाल

· अन्य भुगतान अवधि आप की तरह

शिपिंग तरीका:

शीघ्र Int'l शिपिंग (FEDEX, डीएचएल, यूपीएस, टीएनटी) यह आम तौर पर 4-6 दिनों की लागत

सम्पर्क करने का विवरण
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Bixia Wu

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