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डीओ - 35 से 45 वी ब्रेकओवर वोल्टेज रेंज के साथ 35 ग्लास डिप डायोड डीबी 4

डीओ - 35 से 45 वी ब्रेकओवर वोल्टेज रेंज के साथ 35 ग्लास डिप डायोड डीबी 4

DO - 35 Glass Dip Diode DB4 With 35 To 45V Breakover Voltage Range
DO - 35 Glass Dip Diode DB4 With 35 To 45V Breakover Voltage Range DO - 35 Glass Dip Diode DB4 With 35 To 45V Breakover Voltage Range DO - 35 Glass Dip Diode DB4 With 35 To 45V Breakover Voltage Range

बड़ी छवि :  डीओ - 35 से 45 वी ब्रेकओवर वोल्टेज रेंज के साथ 35 ग्लास डिप डायोड डीबी 4

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: XUYANG
प्रमाणन: ISO9001
मॉडल संख्या: DB4

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 5000PCS
मूल्य: negotiation
पैकेजिंग विवरण: बॉक्स में टेप, 5000 pcs / बॉक्स
प्रसव के समय: 5-8 दिनों के काम
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000 पीसी प्रति 1 सप्ताह
विस्तृत उत्पाद विवरण
भाग संख्या: DB4 VBO: 35-45V
आईआर: 10uA पैकेज: DO -35
पैकिंग: बॉक्स में टेप SPQ: 5000PCS
हाई लाइट:

bidirectional trigger diode

,

db3 diac diode

DO-35 ग्लास ब्लू प्रिंटिंग डीआईपी द्विदिश DIAC ट्रिगर डायोड DB4

विशेषताएं

1. VBO: 40V (TYP)

2. ब्रेकओवर वोल्टेज रेंज: 35 से 45 वी

अनुप्रयोग

एक निश्चित वोल्टेज संदर्भ के साथ ट्रिगर डायोड के रूप में कार्य करना, DB4 संयोजन में इस्तेमाल किया जा सकता है

सरलीकृत गेट नियंत्रण सर्किट के लिए triacs के साथ या फ्लोरोसेंट लैंप रोड़े में एक प्रारंभिक तत्व के रूप में।

निरपेक्ष अधिकतम रेटिंग

दोहराए जाने वाले शिखर राज्य की वर्तमान स्थिति (tp = 20μs F = 120 Hz) ITRM 2
संचालन जंक्शन तापमान रेंज TJ -40 ~ 125
स्टोरेज टेंपरेचर रेंज Tstg -40 ~ 125

विद्युत विशेषतायें

पैरामीटर प्रतीक परीक्षण की स्थितियाँ मूल्य इकाई
ब्रेकओवर वोल्टेज * VBO मिन। 35 वी
TYP। 40
मैक्स। 45
ब्रेकओवर वोल्टेज समरूपता | VBO1-VBO2 | सी = 22nF ** मैक्स। ± 4 वी
गतिशील ब्रेकओवर वोल्टेज * △ वी 10mA पर VBO और VF मिन। 5 वी
आउटपुट वोल्टेज* VO चित्र 2 देखें (R = 20Ω) मिन। 5 वी
ब्रेकओवर करंट * आईबीओ सी = 22nF ** मैक्स। 50 μA
उठने का समय* टीआर चित्र 3 देखें मैक्स। 2 μs
लीकेज करंट* आईआर वीआर = 0.5 वीबीओ अधिकतम मैक्स। 10 μA

आकार:

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सम्पर्क करने का विवरण
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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